据DIGITIMES报道，AMD和高通或将成为三星3纳米芯片制程工艺的首批客户。

业内相关人士表示，由于台积电与苹果的关系密切，使 AMD考虑选择三星交付3纳米制程订单。除了AMD，据称移动处理器大厂高通也对三星的3纳米芯片制程工艺感兴趣。

台积电高层表示，3纳米制程将照进程2022年下半年推出，届时将是台积电最新先进制程。因台积电与苹果关系密切，预估苹果新iPhone与笔记本处理器都会优先采用台积电3纳米制程。

对于这样的业界传闻，三星方面暂时没有透露关于3纳米芯片制程工艺首批客户的任何信息。相较于台积电与苹果目前的联盟关系，或许三星也有可能会与AMD以及高通建立属于它们的联盟。

三星电子之前就曾对外表示目前已确保3nm 制程工艺能有稳定的良品率，并计划在明年上半年开始量产并代工采用3nm 制程工艺的芯片。根据此前的消息，三星电子的3nm 制程工艺将采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术，效能较5nm 制程工艺提升50%，能耗较5nm 制程工艺降低50%。

三星的这个时间点早于台积电。业内人士分析称，不排除AMD将成为三星首位3纳米芯片制程工艺的首批客户，除了三星一贯的放话风格，也有可能AMD为与台积电议价，特别放出风声，毕竟AMD靠台积电先进制程威胁英特尔市场，"真钱换将”并非明智之举。以蓝图说，开始以3纳米生产可能要到AMD Zen 5架构，若要换代工厂就要打掉重练，这部分关系重大，AMD应不可能这样做。

在芯片短缺的形势下，拿到芯片先进工艺的产能也就意味着拿到了市场，在芯片行业，只有性能最好，功耗最低的芯片才能独占鳌头，享受市场份额及利润。那么，这场竞争的制程极限在哪里？

根据IEEE的国际装置与系统发展路线图2017预计，3纳米制程将在2024年量产，后继者是2.1纳米（2027）、1.5纳米（2030）和1纳米（2033）。台积电和INTEL皆规划以2纳米作为接续3纳米的制程，台积电预计2024年量产，INTEL预计2027年推出。

从技术上来说，未来可能会发生的变化。台积电的3纳米制程将继续采用FinFET（鳍式场效应晶体管）。而三星则是直接采用GAA（Gate-All-Around FET，全环绕式结构场效应晶体管）。不过，台积电去年也正式宣布，将在2纳米节点引入GAA技术。

FinFET在过去的十年里成了成为了半导体器件的主流结构。不过，到了5纳米节点之后，鳍式结构已经很难满足晶体管所需的静电控制，漏电现象在尺寸进一步缩小的情况下急剧恶化。半导体行业也需要一个新的解决方案，正是基于这一原因，GAA被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。根据当前预计，水平方向上的GAA足以维持栅线的周期从54纳米缩减到30~40纳米左右（2~3代节点）。但是，此后晶体管的发展，则充满了挑战与不确定性。

而今，由于3纳米制程技术难度非常大，三星美国工厂也就是德州奥斯汀的晶圆工厂，在2023年前恐怕还难以正式量产。这对于力求赶超台积电的三星来说，压力依然不小。

有业内人士分析，就目前台积电所公布的制程推进状况来看，采用EUV光刻（Extreme ultraviolet lithography，极紫外光光刻）的5纳米良品率已经快速追上7纳米，甚至有业内人士预期台积电的3纳米试生产良品率即可达到9成。

所以，就算三星能依靠国内工厂2022年提前量产3纳米GAA，但在性能上未必能压得过台积电，在3纳米制程这场"龙争虎斗”中，鹿死谁手还需要拭目以待。

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